| 功能/应用范围: |
ICP是用于半导体流片工艺过程中SiC、Ni、Ti等材料的刻蚀,是用于形成功率半导体器件结构或图形的关键设备 |
| 主要附件: |
应用于SiC、SiO2、多晶硅、硅、半导体材料、部分金属等材料的刻蚀工艺,在MEMS器件制造中用作Si的通孔刻蚀等。 |
| 主要技术指标参数: |
(1) 适用样品尺寸:单片,最大6
(2) 装片量:1片/批
(3) 刻蚀介质:掺杂硅、氮化硅、PR
(4) 等离子体源:电感耦合等离子体源(ICP源),功率2.5kW,频率13.56MHz,自动匹配偏压电源:功率500W,频率13.56MHz,自动匹配" |
| 技术特色: |
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| 服务实例: |
暂无 |