| 主要技术指标参数： |
1.1超导磁体；1.2射频发射系统；1.3接收及采样；1.4氘数字锁场及梯度匀场系统；1.5 Z方向射频脉冲梯度场；1.6高精度变温控制单元；1.7*5mm高分辨率常温探头；1.7.1检测核：31P和15N，以及共振频率在1H-19F之间的所有核；1.7.2 1H灵敏度 ≥875:1(0.1％EB)；13C灵敏度≥330:1(ASTM)；31P灵敏度≥250:1(TPP)；15N灵敏度≥45:1( 90% Formamide)；19F灵敏度≥700:1 (TFT)；1.8大于等于24位样品的自动进样器及相应数量的转子。 |
